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FDB44N25TM

Mfr# FDB44N25TM
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Fichas de dados FDB44N25TM.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDB44N25TM
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 29201 pcs
Fichas de dados FDB44N25TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D²PAK
Série UniFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 69 mOhm @ 22A, 10V
Dissipação de energia (Max) 307W (Tc)
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes FDB44N25TMCT
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2870pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 250V
Descrição detalhada N-Channel 250V 44A (Tc) 307W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)

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