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FDB5690

Mfr# FDB5690
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Fichas de dados FDB5690.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDB5690
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5258 pcs
Fichas de dados FDB5690.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263AB
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 27 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max) 58W (Tc)
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes FDB5690CT
Temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)

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