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FDB4020P Image
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FDB4020P

Mfr# FDB4020P
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
Fichas de dados FDB4020P.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDB4020P
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5273 pcs
Fichas de dados FDB4020P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263AB
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 80 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 37.5W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada P-Channel 20V 16A (Ta) 37.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)

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