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FDU7030BL Image
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FDU7030BL

Mfr# FDU7030BL
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK
Fichas de dados FDU7030BL.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDU7030BL
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5121 pcs
Fichas de dados FDU7030BL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251)
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9.5 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1425pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 56A (Tc)

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