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FDU6688

Mfr# FDU6688
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
Fichas de dados FDU6688.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDU6688
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5224 pcs
Fichas de dados FDU6688.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251)
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max) 83W (Ta)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3845pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 84A (Ta) 83W (Ta) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 84A (Ta)

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