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FDU6030BL Image
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FDU6030BL

Mfr# FDU6030BL
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
Fichas de dados FDU6030BL.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDU6030BL
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 3966 pcs
Fichas de dados FDU6030BL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251)
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 16 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1143pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 10A (Ta), 42A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 42A (Tc)

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