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FDU3N40TU

Mfr# FDU3N40TU
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Fichas de dados FDU3N40TU.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDU3N40TU
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 111976 pcs
Fichas de dados FDU3N40TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251)
Série UniFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 30W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 400V
Descrição detalhada N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)

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