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BYV415K-600PQ

Mfr# BYV415K-600PQ
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Fichas de dados BYV415K-600PQ.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto BYV415K-600PQ
Fabricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 22878 pcs
Fichas de dados BYV415K-600PQ.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 2.1V @ 15A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-3P
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 45ns
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-3P-3, SC-65-3
Outros nomes 1740-1260
568-11680
568-11680-ND
934068876127
Temperatura de Operação - Junção -65°C ~ 175°C
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Standard
configuração de diodo 1 Pair Common Cathode
Descrição detalhada Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) 15A

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