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BYV10-600PQ

Mfr# BYV10-600PQ
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Fichas de dados BYV10-600PQ.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto BYV10-600PQ
Fabricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 81221 pcs
Fichas de dados BYV10-600PQ.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 2V @ 10A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AC
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 50ns
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-2
Outros nomes 1740-1159
568-11673
568-11673-ND
934068019127
BYV10-600PQ-ND
Temperatura de Operação - Junção 175°C (Max)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Standard
Descrição detalhada Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) 10A
Capacitância @ Vr, F -

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