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BYR29-600,127

Mfr# BYR29-600,127
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Fichas de dados BYR29-600,127.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto BYR29-600,127
Fabricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 47559 pcs
Fichas de dados BYR29-600,127.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.5V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AC
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 75ns
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-2
Outros nomes 933722320127
BYR29-600
BYR29-600-ND
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Standard
Descrição detalhada Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) 8A
Capacitância @ Vr, F -

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