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BYC8B-600,118

Mfr# BYC8B-600,118
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK
Fichas de dados BYC8B-600,118.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto BYC8B-600,118
Fabricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 42578 pcs
Fichas de dados BYC8B-600,118.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 2.9V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 500V
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 52ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes 934054752118
BYC8B-600
BYC8B-600 /T3
BYC8B-600 /T3-ND
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Standard
Descrição detalhada Diode Standard 500V 8A Surface Mount D2PAK
Atual - dispersão reversa @ Vr 150µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) 8A
Capacitância @ Vr, F -
Número da peça base BYC8-600

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