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TK040N65Z,S1F

Mfr# TK040N65Z,S1F
Mfr. Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Fichas de dados TK040N65Z,S1F.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto TK040N65Z,S1F
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4195 pcs
Fichas de dados TK040N65Z,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.85mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 40 mOhm @ 28.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 360W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-247-3
Outros nomes TK040N65Z,S1F(S
TK040N65ZS1F
Temperatura de operação 150°C
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Not Applicable
Tempo de entrega padrão do fabricante 24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6250pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650V
Descrição detalhada N-Channel 650V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 57A (Ta)

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