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STP150N10F7

Mfr# STP150N10F7
Mfr. STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Fichas de dados STP150N10F7.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto STP150N10F7
Fabricante STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 24580 pcs
Fichas de dados STP150N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220
Série DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.2 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max) 250W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes 497-14570-5
STP150N10F7-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8115pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição detalhada N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)

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