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PMV65XP/MIR

Mfr# PMV65XP/MIR
Mfr. Nexperia
Descrição MOSFET P-CH 20V SOT23
Fichas de dados PMV65XP/MIR.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto PMV65XP/MIR
Fabricante Nexperia
Descrição MOSFET P-CH 20V SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5565 pcs
Fichas de dados PMV65XP/MIR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-236AB
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes 934068504215
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 744pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)

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