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IPD70N12S311ATMA1

Mfr# IPD70N12S311ATMA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
Fichas de dados IPD70N12S311ATMA1.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Modelo do Produto IPD70N12S311ATMA1
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 27422 pcs
Fichas de dados IPD70N12S311ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3-11
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11.1 mOhm @ 70A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes SP001400108
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4355pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 120V
Descrição detalhada N-Channel 120V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)

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