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IPB60R165CPATMA1

Mfr# IPB60R165CPATMA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Fichas de dados IPB60R165CPATMA1.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Modelo do Produto IPB60R165CPATMA1
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 17956 pcs
Fichas de dados IPB60R165CPATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 790µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO263-3-2
Série CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 165 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max) 192W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes IPB60R165CP
IPB60R165CP-ND
IPB60R165CPATMA1TR
IPB60R165CPTR-ND
IPB60R165CPXT
SP000096439
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 21A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)

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