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IS42S32160B-75EBLI

Mfr# IS42S32160B-75EBLI
Mfr. ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrição IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
Fichas de dados IS42S32160B-75EBLI.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Mais Informações Aprenda mais sobre ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS42S32160B-75EBLI
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Descrição

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Modelo do Produto IS42S32160B-75EBLI
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrição IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4121 pcs
Fichas de dados IS42S32160B-75EBLI.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página -
Tensão - Fornecimento 3 V ~ 3.6 V
Tecnologia SDRAM
Embalagem do dispositivo fornecedor 90-WBGA (11x13)
Série -
Embalagem Tray
Caixa / Gabinete 90-TFBGA
Temperatura de operação -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memória Volatile
Tamanho da memória 512Mb (16M x 32)
Interface de memória Parallel
Formato de memória DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 5.5ns 90-WBGA (11x13)
Freqüência de relógio 133MHz
Tempo de acesso 5.5ns

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