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IRF3007PBF Image
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IRF3007PBF

Mfr# IRF3007PBF
Mfr. IR
Descrição MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Fichas de dados IRF3007PBF.pdf
Estado de RoHS Em conformidade com a RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto IRF3007PBF
Fabricante IR
Descrição MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS Em conformidade com a RoHS
Quantidade Disponível 78362 pcs
Fichas de dados IRF3007PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 12.6 mOhm @ 48A, 10V
Dissipação de energia (Max) 200W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes *IRF3007PBF
SP001571144
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3270pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75V
Descrição detalhada N-Channel 75V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)

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