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SI8281CC-IS

Mfr# SI8281CC-IS
Mfr. Energy Micro (Silicon Labs)
Descrição DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Fichas de dados SI8281CC-IS.pdf
Estado de RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto SI8281CC-IS
Fabricante Energy Micro (Silicon Labs)
Descrição DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Status sem chumbo / Status RoHS
Quantidade Disponível 11230 pcs
Fichas de dados SI8281CC-IS.pdf
Tensão - Fornecimento 2.8 V ~ 5.5 V
Tensão - Isolamento 5000Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo) -
Tecnologia Capacitive Coupling
Embalagem do dispositivo fornecedor 20-SOIC
Série Automotive, AEC-Q100
Aumento / tempo de queda (típico) 5.5ns, 8.5ns
Distorção de largura de pulso (máx.) 5ns
Atraso de propagação tpLH / tpHL (Max) 50ns, 50ns
Embalagem -
Caixa / Gabinete 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Outros nomes 336-5063
Temperatura de operação -40°C ~ 125°C
Número de canais 1
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 3 (168 Hours)
Descrição detalhada 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 20-SOIC
Atual - de saída de pico 4A
Atual - Saída Alto, Baixo 2.5A, 3A
Imunidade Transiente em Modo Comum (Min) 35kV/µs
aprovações CQC, CSA, UL, VDE

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