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FDS4410

Mfr# FDS4410
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Fichas de dados FDS4410.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDS4410
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5553 pcs
Fichas de dados FDS4410.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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