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FDB8444

Mfr# FDB8444
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Fichas de dados FDB8444.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto FDB8444
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 25853 pcs
Fichas de dados FDB8444.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263AB
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 5.5 mOhm @ 70A, 10V
Dissipação de energia (Max) 167W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes FDB8444TR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8035pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40V
Descrição detalhada N-Channel 40V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)

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