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SIHP10N40D-GE3

Mfr# SIHP10N40D-GE3
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
Fichas de dados 1.SIHP10N40D-GE3.pdf 2.SIHP10N40D-GE3.pdf
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Descrição

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Modelo do Produto SIHP10N40D-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 29282 pcs
Fichas de dados 1.SIHP10N40D-GE3.pdf 2.SIHP10N40D-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 147W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 526pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 400V
Descrição detalhada N-Channel 400V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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